FDG1024NZ 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDG1024NZ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDG1024NZ의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDG1024NZ 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDG1024NZ Dual N-Channel Power Trench® MOSFET August 2009 FDG1024NZ Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 20 V, 1.2 A, 175 mΩ Features „ Max rDS(on) = 175 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A „ Max rDS(on) = 215 mΩ at VGS = 2.5 V, ID = 1.0 A „ Max rDS(on) = 270 mΩ at VGS = 1.8 V, ID = 0.9 A „ Max rDS(on) = 389 mΩ at VGS = 1.5 V, ID = 0.8 A „ HBM ESD protection level >2 kV (Note 3) „ Very low level gate drive requirements allowing operation in 3 V circuits (VGS(th) < 1.5 V) „ Very small package outline SC70-6 „ RoHS Compliant General Description This dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fai

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted 5 ID = 1.2 A 4 VDD = 5 V 3 VDD = 10 V 2 VDD = 15 V 1 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 Qg, GATE CHARGE (nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics 300 Ciss 100 Coss 10 5 0.1 f = 1 MHz VGS = 0 V 1 Crss 10 20 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure8. Capacitance vs Drain to Source Voltage 10 THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) 1 0.1 ms 1 ms 0.1 0.01 0.01 10 ms SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RθJA = 415 oC/W TA = 25 oC 100 ms 1s DC 0.1 1 10 100 VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) Figure 9. Forward Bias Safe Operating Area www.DataSheet4U.com 100 VGS = 4.5 V 105 VGS = 0 V 103 10 TJ = 125 oC 10-1 TJ = 25 oC 10-3 0 2 4 6 8 10 12 VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) 14 Figure 10. Gate Leakage Current vs Gate to Source Voltage 10 SINGLE PULSE RθJA = 415 oC/W TA = 25 oC 1 0.1 10-4 10-3 10-2 10-1 1 10 t, PULSE WIDTH (sec) Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation 100 1000 ©2009 Fairchild Semiconductor Corporation FDG1024NZ Rev.B 4 www.fairchildsemi.com

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