FDG410NZ 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDG410NZ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDG410NZ의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDG410NZ 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDG410NZ Single N-Channel PowerTrench® MOSFET March 2009 FDG410NZ Single N-Channel PowerTrench® MOSFET 20 V, 2.2 A, 70 mΩ Features General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use in small switching regulaters, providing an extremely low rDS(on) and gate charge (Qg) in a small package. „ Max rDS(on) = 70 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 2.2 A „ Max rDS(on) = 77 mΩ at VGS = 2.5 V, ID = 2.0 A „ Max rDS(on) = 87 mΩ at VGS = 1.8 V, ID = 1.8 A „ Max rDS(on) = 115 mΩ at VGS = 1.5

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted 5 ID = 2.2 A 4 VDD = 5 V 3 VDD = 10 V VDD = 15 V 2 1 0 0123456 Qg, GATE CHARGE (nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics 10 0.1 ms 1 1 ms 0.1 0.01 0.01 THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) 10 ms SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RθJA = 333 oC/W TA = 25 oC 100 ms 10 s 1s DC 0.1 1 10 100 VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) www.DataSheet4U.com Figure 9. Forward Bias Safe Operating Area 100 VGS = 4.5 V 1000 Ciss 100 Coss Crss f = 1 MHz VGS = 0 V 10 0.1 1 10 20 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure8. CapacitancevsDrain to Source Voltage 105 VGS = 0 V 103 101 TJ = 125 oC 10-1 TJ = 25 oC 10-3 10-5 0 2 4 6 8 10 12 VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) 14 Figure 10. Gate Leakage Current vs Gate to Source Voltage 10 SINGLE PULSE RθJA = 333 oC/W TA = 25 oC 1 0.1 10-4 10-3 10-2 10-1 1 10 t, PULSE WIDTH (sec) Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation 100 1000 ©2009 Fairchild Semiconductor Corporation FDG410NZ Rev.B 4 www.fairchildsemi.com

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