FDL100N50F 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDL100N50F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDL100N50F의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDL100N50F 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDL100N50F N-Channel MOSFET FDL100N50F N-Channel MOSFET,FRFET 500V, 100A, 0.055Ω Features • RDS(on) = 0.043Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 50A • Low gate charge ( Typ. 238nC) • Low Crss ( Typ. 64pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • RoHS Compliant UniFETTM May 2009 Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commut

Contents of page 4 out of 8 pages :

Typical Performance Characteristics (Continued) Figure 7. Breakdown Voltage Variation vs. Temperature 1.2 Figure 8. On-Resistance Variation vs. Temperature 3.0 2.5 1.1 2.0 1.0 1.5 0.9 0.8 -100 *Notes: 1. VGS = 0V 2. ID = 1mA -50 0 50 100 150 TJ, Junction Temperature [oC] 200 Figure 9. Maximum Safe Operating Area 1000 100 10 30µs 100µs 1ms 10ms DC Operation in This Area 1 is Limited by R DS(on) 0.1 www.DataSheet4U.com 0.01 1 *Notes: 1. TC = 25oC 2. TJ = 150oC 3. Single Pulse 10 100 VDS, Drain-Source Voltage [V] 1000 1.0 0.5 0.0 -100 *Notes: 1. VGS = 10V 2. ID = 50A -50 0 50 100 150 TJ, Junction Temperature [oC] 200 Figure 10. Maximum Drain Current vs. Case Temperature 120 100 80 60 40 20 0 25 50 75 100 125 150 TC, Case Temperature [oC] Figure 11. Transient Thermal Response Curve 0.1 0.5 0.01 0.2 0.1 0.05 0.001 0.02 0.01 Single pulse 0.0001 10-5 10-4 PDM t1 t2 *Notes: 1. ZθJC(t) = 0.05oC/W Max. 2. Duty Factor, D= t1/t2 3. TJM - TC = PDM * ZθJC(t) 10-3 10-2 Rectangular Pulse Duration [sec] 10-1 1 FDL100N50F Rev. A 4 www.fairchildsemi.com

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