FDMA3023PZ 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDMA3023PZ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDMA3023PZ의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDMA3023PZ 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDMA3023PZ Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET December 2008 FDMA3023PZ Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -2.9 A, 90 mΩ Features General Description This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bi-directional current flow is possible. The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications. tm

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted 6 VGS = -4.5 V 5 VGS = -3.5 V VGS = -2.5 V 4 VGS = -1.8 V 3 VGS = -1.5 V 2 PULSE DURATION = 80 µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX 1 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 -VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure 1. On Region Characteristics 6 PULSE DURATION = 80 µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX 5 VGS = -1.5 V 4 3 VGS = -2.5 V VGS = -1.8 V 2 1 VGS = -3.5 V VGS = -4.5 V 0 123456 -ID, DRAIN CURRENT (A) Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain Current and Gate Voltage 1.6 ID = -2.9 A 1.4 VGS = -4.5 V 1.2 1.0 0.8 0.6 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC) www.DataSheet4U.coFmigure 3. Normalized On Resistance vs Junction Temperature 400 PULSE DURATION = 80 µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX 300 ID = -1.45 A 200 100 0 1.0 TJ = 125 oC TJ = 25 oC 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 -VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) 4.5 Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source Voltage 6 PULSE DURATION = 80 µs 5 DUTY CYCLE = 0.5% MAX VDS = -5 V 4 3 TJ = 125 oC 2 TJ = 25 oC 1 TJ = -55 oC 0 0.5 1.0 1.5 -VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure 5. Transfer Characteristics 2.0 10 VGS = 0 V 1 TJ = 125 oC 0.1 0.01 TJ = 25 oC TJ = -55 oC 0.001 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V) 1.2 Figure 6. Source to Drain Diode Forward Voltage vs Source Current ©2008

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