FDMC6675BZ 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDMC6675BZ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDMC6675BZ의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDMC6675BZ 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDMC6675BZ P-Channel PowerTrench® MOSFET FDMC6675BZ P-Channel Power Trench® MOSFET -30 V, -20 A, 14.4 mΩ Features „ Max rDS(on) = 14.4 mΩ at VGS = -10 V, ID = -9.5 A „ Max rDS(on) = 27.0 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -6.9 A „ HBM ESD protection level of 8 kV typical(note 3) „ Extended VGSS range (-25 V) for battery applications „ High performance trench technology for extremely low rDS(on) „ High power and current handling capability „ Termination is Lead-free and RoHS Compliant June 2009 General Description The FDMC6675BZ has been designed to minimize losses in load switch applications. Advancements in both silicon and package technologie

Contents of page 4 out of 7 pages :

Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted 10 ID = -9.5 A 8 6 4 2 VDD = -10 V VDD = -15 V VDD = -20 V 0 0 10 20 30 40 Qg, GATE CHARGE (nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics 50 5000 1000 Ciss Coss f = 1 MHz VGS = 0 V Crss 100 0.1 1 10 -VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) 30 Figure8. CapacitancevsDrain to Source Voltage 50 50 TJ = 25 oC 10 TJ = 100 oC TJ = 125 oC 1 0.001 0.01 0.1 1 10 tAV, TIME IN AVALANCHE (ms) Figure 9. Unclamped Inductive Switching Capability www.DataSheet4U.com 70 100 10 1 ms 1 0.1 0.01 0.01 THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RθJA = 125 oC/W TA = 25 oC 0.1 1 10 -VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) 10 ms 100 ms 1s 10 s DC 100 Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area 40 VGS = -10 V 30 VGS = -4.5 V 20 Limited by Package 10 RθJC = 3.4 oC/W 0 25 50 75 100 125 TC, CASE TEMPERATURE (oC) 150 Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature 10-4 VGS = 0V 10-5 TJ = 150oC 10-6 10-7 TJ = 25oC 10-8 10-9 0 5 10 15 20 25 -VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE(V) Figure 12. Igss vs Vgss 30 ©2009 Fairchild Semiconductor Corporation FDMC6675BZ Rev.D1 4 www.fairchildsemi.com

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