FDMC8296 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDMC8296은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDMC8296의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDMC8296 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDMC8296 N-Channel Power Trench® MOSFET March 2008 FDMC8296 N-Channel Power Trench 30V, 18A, 8.0mΩ Features „ Max rDS(on) = 8.0mΩ at VGS = 10V, ID = 12A „ Max rDS(on) = 13.0mΩ at VGS = 4.5V, ID = 10A „ High performance trench technology for extremely low rDS(on) „ Termination is Lead-free and RoHS Compliant ® tm MOSFET General Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is welll suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery

Contents of page 4 out of 7 pages :

Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted 10 ID = 12A 8 6 4 VDD = 10V VDD = 15V VDD = 20V 2 0 0 3 6 9 12 15 18 Qg, GATE CHARGE(nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics 3000 1000 Ciss Coss 100 f = 1MHz VGS = 0V Crss 30 0.1 1 10 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) 30 Figure8. Capacitance vs Drain to Source Voltage 30 50 10 TJ = 25oC TJ = 125oC 1 0.01 0.1 1 10 tAV, TIME IN AVALANCHE(ms) Figure9. Unclamped Inductive Switching Capability www.DataSheet4U.com 100 100 10 1ms 1 THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) SINGLE PULSE 0.1 TJ = MAX RATED RθJA = 125oC/W 0.01 TA = 25oC 0.01 0.1 1 10 VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) 10ms 100ms 1s 10s DC 100 Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area 40 30 VGS = 4.5V 20 VGS = 10V 10 Limited by Package RθJC = 4.6oC/W 0 25 50 75 100 125 TC, CASE TEMPERATURE (oC) 150 Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature 200 100 VGS = 10V 10 SINGLE PULSE RθJA = 125oC/W TA = 25oC 1 0.5 10-3 10-2 10-1 1 10 t, PULSE WIDTH (s) 100 1000 Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation FDMC8296 Rev.B 4 www.fairchildsemi.com

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