FDMS7656AS 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDMS7656AS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDMS7656AS의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDMS7656AS 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDMS7656AS N-Channel PowerTrench® SyncFET™ September 2009 FDMS7656AS N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 30 V, 49 A, 1.8 mΩ Features General Description The FDMS7656AS has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode. „ Max rDS(on) = 1.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 30 A „ Max rDS(on) = 1.9 mΩ at VGS = 7 V, ID = 27 A „ Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency

Contents of page 4 out of 8 pages :

Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted 10 ID = 30 A 8 6 4 VDD = 10 V VDD = 20 V VDD = 15 V 2 0 0 20 40 60 80 100 Qg, GATE CHARGE (nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics 10000 1000 Ciss Coss f = 1 MHz VGS = 0 V Crss 100 0.1 1 10 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) 30 Figure8. CapacitancevsDrain to Source Voltage 50 200 TJ = 25 oC 10 TJ = 100 oC TJ = 125 oC 1 0.01 0.1 1 10 100 tAV, TIME IN AVALANCHE (ms) www.DataSheet4U.com Figure9. UnclampedInductive Switching Capability 1000 100 1 ms 10 10 ms 1 THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) 0.1 0.01 0.01 SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RθJA = 125 oC/W TC = 25 oC 0.1 1 100 ms 1s 10 s DC 10 100 200 VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area 150 VGS = 10 V 100 VGS = 4.5 V 50 Limited by Package RθJC = 1.3 oC/W 0 25 50 75 100 125 TC, CASE TEMPERATURE (oC) 150 Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature 1000 100 VGS = 10 V 10 SINGLE PULSE RθJA = 125 oC/W 1 TC = 25 oC 0.5 10-3 10-2 10-1 1 10 t, PULSE WIDTH (sec) 100 1000 Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation FDMS7656AS Rev.C 4 www.fairchildsemi.com

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