FDMS7660 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDMS7660은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDMS7660의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDMS7660 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDMS7660 N-Channel PowerTrench® MOSFET April 2009 FDMS7660 N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 2.8 mΩ Features General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance. „ Max rDS(on) = 2.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A „ Max rDS(on) = 3.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 19 A „ Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency „ Nex

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Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted 10 ID = 25 A 8 VDD = 15 V 6 VDD = 10 V VDD = 20 V 4 2 0 0 15 30 45 60 Qg, GATE CHARGE (nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics 10000 1000 Ciss Coss 100 Crss f = 1 MHz VGS = 0 V 10 0.1 1 10 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) 30 Figure8. CapacitancevsDrain to Source Voltage 100 150 TJ = 25 oC 10 TJ = 100 oC TJ = 125 oC 1 0.01 0.1 1 10 100 tAV, TIME IN AVALANCHE (ms) Figure9. Unclamped Inductive Switching Capability www.DataSheet4U.com 500 1000 100 100 us 10 1 ms THIS AREA IS 1 LIMITED BY rDS(on) 0.1 0.01 0.01 SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RθJA = 125 oC/W TA = 25 oC 0.1 1 10 ms 100 ms 1s 10 s DC 10 100 VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area 120 VGS = 10 V 90 VGS = 4.5 V 60 30 Limited by Package RθJC = 1.6 oC/W 0 25 50 75 100 125 Tc, CASE TEMPERATURE (oC) Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature 150 2000 1000 100 VGS = 10 V SINGLE PULSE RθJA = 125 oC/W TA = 25 oC 10 1 0.5 10-4 10-3 10-2 10-1 1 10 t, PULSE WIDTH (sec) 100 1000 Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation ©2009 Fairchild Semiconductor Corporation FDMS7660 Rev. D 4 www.fairchildsemi.com

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