FDMS7672AS 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDMS7672AS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDMS7672AS의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDMS7672AS 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDMS7672AS N-Channel PowerTrench® SyncFETTM September 2009 FDMS7672AS N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 30 V, 42 A, 4 mΩ Features General Description The FDMS7672AS has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode. „ Max rDS(on) = 4.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 18 A „ Max rDS(on) = 4.5 mΩ at VGS = 7 V, ID = 16 A „ Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency „ S

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted 10 ID = 18 A 8 6 4 VDD = 10 V VDD = 20 V VDD = 15 V 3000 1000 Ciss Coss 2 0 0 5 10 15 20 25 30 35 Qg, GATE CHARGE (nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics 30 100 f = 1 MHz VGS = 0 V 50 0.1 1 Crss 10 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure8. CapacitancevsDrain to Source Voltage 90 30 10 TJ = 25 oC TJ = 100 oC TJ = 125 oC 1 0.01 0.1 1 10 tAV, TIME IN AVALANCHE (ms) 100 Figure9. UnclampedInductive Switching Capability www.DataSheet4U.com 300 100 100 µs 10 1 ms 1 THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) SINGLE PULSE 0.1 0.01 0.01 TJ = MAX RATED RθJA = 125 oC/W TA = 25 oC 0.1 1 10 ms 100 ms 1s 10 s DC 10 100200 VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area 60 VGS = 10 V 30 Limited by Package VGS = 4.5 V RθJC = 2.7 oC/W 0 25 50 75 100 125 Tc, CASE TEMPERATURE (oC) Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature 150 3000 1000 VGS = 10 V 100 10 SINGLE PULSE RθJA = 125 oC/W 1 TA = 25 oC 0.5 10-4 10-3 10-2 10-1 1 10 t, PULSE WIDTH (sec) 100 1000 Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation FDMS7672AS Rev.C 4 www.fairchildsemi.com

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