FDP8440 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDP8440은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDP8440의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDP8440 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDP8440 N-Channel PowerTrench® MOSFET January 2009 FDP8440 N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 277A, 2.2mΩ Features • RDS(on) = 1.64mΩ (Typ.)@ VGS = 10V, ID = 80A • Qg(tot) = 345nC (Typ.)@ VGS = 10V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) • RoHS Compliant tm Application • Automotive Engine Control • Powertrain Management • Motors, Solenoids • Electronic Steering • Integrated Starter/ Alternator • Distributed Power Architectures and VRMs • Primary Switch for 12V Systems D G D S TO-220 FDP Series G S MOSFET Maximum Ratings T Symbol VDSS VGSS I

Contents of page 4 out of 8 pages :

Typical Performance Characteristics (Continued) Figure 7. Breakdown Voltage Variation vs. Temperature 1.2 Figure 8. On-Resistance Variation vs. Temperature 2.5 1.1 1.0 0.9 0.8 -100 * Notes : 1. VGS = 0V 2. ID = 250μA -50 0 50 100 150 TJ, Junction Temperature [oC] 200 Figure 9. Unclamped Inductive Switching Capability 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 -100 * Notes : 1. VGS = 10V 2. ID = 80A -50 0 50 100 150 TJ, Junction Temperature [oC] 200 Figure 10. Safe Operating Area 200 100 10 TJ = 150oC TJ = 25oC www.DataSheet4U.com 1 0.01 0.1 1 10 100 1000 10000 tAV, TIME IN AVALANCHE(ms) 3000 1000 100 100μs 10 Operation in This Area 1ms is Limited by R DS(on) *Notes: 10ms 1 1. TC = 25oC 100ms 2. TJ = 175oC 0.1 1 3. Single Pulse 10 VDS, Drain-Source Voltage [V] Figure 11. Transient Thermal Response Curve 1 0.5 0.1 0.2 0.1 0.05 0.01 0.02 0.01 Single pulse 0.001 10-5 10-4 PDM t1 t2 * Notes : 1. ZθJC(t) = 0.49oC/W Max. 2. Duty Factor, D=t1/t2 3. TJM - TC = PDM * ZθJC(t) 10-3 10-2 Rectangular Pulse Duration [sec] 10-1 100 FDP8440 Rev. A6 4 www.fairchildsemi.com

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