FDP8442 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDP8442은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDP8442의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDP8442 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDP8442 N-Channel PowerTrench® MOSFET June 2007 FDP8442 N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 3.1mΩ Features „ Typ rDS(on) = 2.3mΩ at VGS = 10V, ID = 80A „ Typ Qg(10) = 181nC at VGS = 10V „ Low Miller Charge „ Low Qrr Body Diode „ UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) „ Qualified to AEC Q101 „ RoHS Compliant REE I DF Applications „ Automotive Engine Control „ Powertrain Management „ Solenoid and Motor Drivers „ Electronic Steering „ Integrated Starter / Alternator „ Distributed Power Architectures and VRMs „ Primary Switch for 12V Systems ©2007 Fairchild Semiconductor Corporation FDP8842 Rev

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Typical Characteristics 1.2 300 1.0 250 CURRENT LIMITED BY PACKAGE VGS = 10V 0.8 200 0.6 150 0.4 100 0.2 50 0.0 0 25 50 75 100 125 150 175 TC, CASE TEMPERATURE(oC) 0 25 50 75 100 125 150 175 TC, CASE TEMPERATURE(oC) Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs Temperature Case Temperature 2 1 DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER D = 0.50 0.20 0.10 0.1 0.05 0.02 0.01 PDM t1 0.01 t2 NOTES: DUTY FACTOR: D = t1/t2 PEAK TJ = PDM x ZθJC x RθJC + TC SINGLE PULSE 1E-3 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s) Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 101 www.DataSheet4U.com 10000 VGS = 10V TRANSCONDUCTANCE MAY LIMIT CURRENT IN THIS REGION 1000 TC = 25oC FOR TEMPERATURES ABOVE 25oC DERATE PEAK CURRENT AS FOLLOWS: I = I25 175 - TC 150 100 SINGLE PULSE 10 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s) Figure 4. Peak Current Capability FDP8842 Rev. A 4 www.fairchildsemi.com

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FDP8442 datasheet
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