FDP8447L 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDP8447L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDP8447L의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDP8447L 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDP8447L N-Channel PowerTrench® MOSFET May 2007 FDP8447L N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 50A, 8.7mΩ Features „ Max rDS(on) = 8.7mΩ at VGS = 10V, ID = 14A „ Max rDS(on) = 11.2mΩ at VGS = 4.5V, ID = 11A „ Fast Switching „ RoHS Compliant tm General Description This N-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary PowerTrench technology to deliver low rDS(on) and optimized BVDSS capability to offer superior performance benefit in the application. Applications „ Inverter „ Power Supplies D G G D S TO-220 FDP Series S Symbol VDS VGS MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwi

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Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted 10 ID = 14A 8 6 VDD = 10V VDD = 20V VDD = 30V 10000 1000 Ciss Coss 4 2 0 0 10 20 30 Qg, GATE CHARGE(nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics 40 100 Crss f = 1MHz VGS = 0V 10 0.1 1 10 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure8. CapacitancevsDrain to Source Voltage 20 80 40 10 TJ = 25oC TJ = 125oC 1 0.01 0.1 1 10 tAV, TIME IN AVALANCHE(ms) Figure9. Unclamped Inductive Switching Capability www.DataSheet4U.com 300 100 100 300 10 THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) 1 0.1 0.1 SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RθJC = 2.1oC/W TC = 25oC 1 10 VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) 100us 1ms 10ms 100ms 100 Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area 60 40 Limited by Package 20 VGS = 10V VGS = 4.5V RθJC = 2.1oC/W 0 25 50 75 100 125 TC, CASE TEMPERATURE (oC) Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature 150 1000 VGS = 10V SINGLE PULSE RθJC = 2.1oC/W TC = 25oC 100 50 10-4 10-3 10-2 10-1 t, PULSE WIDTH (s) 100 Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation 101 ©2007 Fairchild Semiconductor Corporation FDP8447L Rev.B 4 www.fairchildsemi.com

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