FDS8638 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS8638은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDS8638의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDS8638 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDS8638 N-Channel PowerTrench® MOSFET March 2009 FDS8638 N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 18 A, 4.3 mΩ Features General Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. „ Max rDS(on) = 4.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 18 A „ Max rDS(on) = 5.4 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 16 A „ High performance trench technology for extremely low rDS(on) „ 100% UIL Tested „ RoHS Compliant Applications „ Synchronous Rectifier „ Load Switch D D D D D D D SO-8 S Pin 1 S G S D 8 1 S

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted 10 ID = 18 A 8 VDD = 20 V 6 VDD = 15 V 4 VDD = 25 V 2 0 0 10 20 30 40 50 60 70 Qg, GATE CHARGE (nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics 10000 Ciss 1000 Coss f = 1 MHz 100 VGS = 0 V Crss 50 0.1 1 10 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) 40 Figure8. CapacitancevsDrain to Source Voltage 30 20 10 TJ = 25 oC TJ = 100 oC TJ = 125 oC 1 0.01 0.1 1 10 100 tAV, TIME IN AVALANCHE (ms) www.DataSheet4U.com Figure9. UnclampedInductive Switching Capability 1000 200 100 1 ms 10 10 ms 1 THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) 100 ms 0.1 0.01 0.01 SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RθJA = 125 oC/W TC = 25 oC 0.1 1 1s 10 s DC 10 100 200 VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area 15 10 5 0 25 VGS = 10 V VGS = 4.5 V RθJA = 50 oC/W 50 75 100 125 TA, AMBIENT TEMPERATURE (oC) 150 Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs Ambient Temperature 1000 100 10 VGS = 10 V SINGLE PULSE RθJA = 125 oC/W TC = 25 oC 1 0.5 10-3 10-2 10-1 1 10 t, PULSE WIDTH (sec) 100 1000 Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation ©2009 Fairchild Semiconductor Corporation FDS8638 Rev.C 4 www.fairchildsemi.com

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