FDS8672S 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS8672S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDS8672S의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDS8672S 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDS8672S N-Channel PowerTrench® SyncFET™ December 2007 FDS8672S N-Channel PowerTrench SyncFET 30V, 18A, 4.8mΩ Features „ Max rDS(on) = 4.8mΩ at VGS = 10V, ID = 18A „ Max rDS(on) = 7.0mΩ at VGS = 4.5V, ID = 15A „ Includes SyncFET Schottky body diode „ High performance trench technology for extremely low rDS(on) and fast switching „ High power and current handling capability „ 100% Rg (Gate Resistance) tested „ Termination is Lead-free and RoHS Compliant ® ™ General Description tm The FDS8672S is designed to replace a single MOSFET and Schottky diode in synchronous DC/DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize pow

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Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted 10 ID = 18A 8 6 4 VDD = 10V VDD = 15V VDD = 20V 2 0 0 5 10 15 20 25 Qg, GATE CHARGE(nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics 30 5000 1000 Ciss Coss Crss f = 1MHz 100 VGS = 0V 60 0.1 1 10 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure8. CapacitancevsDrain to Source Voltage 30 20 30 10 TJ = 25oC TJ = 125oC 1 0.01 0.1 1 10 tAV, TIME IN AVALANCHE(ms) 100 500 Figure9. UnclampedInductive Switching Capability www.DataSheet4U.com 100 1ms 10 10ms 1 THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) 0.1 0.01 0.01 SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RθJA = 125oC/W TA = 25oC 0.1 1 10 VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) 100ms 1s 10s DC 100 Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area 15 VGS = 10V 10 VGS = 4.5V 5 RθJA = 50oC/W 0 25 50 75 100 125 TA, AMBIENT TEMPERATURE (oC) Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs Ambient Temperature 150 3000 1000 100 VGS = 10V SINGLE PULSE RθJA = 125oC/W TA = 25oC 10 1 0.5 10-3 10-2 10-1 100 101 t, PULSE WIDTH (s) 102 Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation 103 ©2007 Fairchild Semiconductor Corporation FDS8672S Rev.D2 4 www.fairchildsemi.com

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