FDS8842NZ 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS8842NZ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDS8842NZ의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


PDF 형식의 FDS8842NZ 자료 제공

FDS8842NZ 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor 로고 


FDS8842NZ 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



PDF 파일안의 텍스트 미리보기

FDS8842NZ N-Channel Power Trench® MOSFET February 2009 FDS8842NZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 14.9 A, 7.0 mΩ Features „ Max rDS(on) = 7.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 14.9 A „ Max rDS(on) = 11.6 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11.6 A „ HBM ESD protection level of 4.4 kV typical(note 3) „ High performance trench technology for extremely low rDS(on) and fast switching „ High power and current handling capability „ Termination is Lead-free and RoHS Compliant General Description The FDS8842NZ has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the

Contents of page 4 out of 6 pages :

Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted 10 ID = 14.9 A 8 VDD = 15 V 6 VDD = 20 V VDD = 25 V 4 5000 1000 Ciss Coss 2 0 0 10 20 30 40 50 60 Qg, GATE CHARGE (nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics f = 1 MHz VGS = 0 V 100 0.1 1 10 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Crss 40 Figure8. Capacitance vs Drain to Source Voltage 30 10 TJ = 125 oC TJ = 25 oC TJ = 100 oC 10-3 VGS = 0 V 10-5 TJ = 125 oC 10-7 TJ = 25 oC 1 0.001 0.01 0.1 1 10 100 tAV, TIME IN AVALANCHE (ms) Figure 9. Unclamped Inductive Switching Capability www.DataSheet4U.com 100 1000 1 ms 10 10 ms 1 THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) 100 ms 0.1 0.01 0.01 SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RθJA = 125 oC/W TA = 25 oC 0.1 1 1s 10 s DC 10 100 200 VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area 10-9 0 5 10 15 20 25 VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure 10. Igss vs Vgs 30 2000 1000 100 10 VGS = 10 V SINGLE PULSE RθJA = 125 oC/W TA = 25 oC 1 0.5 10-3 10-2 10-1 1 10 t, PULSE WIDTH (sec) 100 1000 Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation ©2009 Fairchild Semiconductor Corporation FDS8842NZ Rev.C 4 www.fairchildsemi.com

PDF 파일 전체 : 6 페이지중 1, 2페이지 미리보기
FDS8842NZ datasheet
FDS8842NZ pinouts
[ FDS8842NZ.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는

부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.
scroll

관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
FDS8842NZ

N-Channel MOSFET

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

우리는 플랫폼을 지속적으로 개선하고 새로운 기능을 추가하여 사용자 경험을 향상시키기 위해 최선을 다하고 있습니다.

DataSheet.kr    |   2020   |  연락처  

|  링크모음   |   검색  |   사이트맵