FDS8882 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS8882은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDS8882의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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FDS8882 기능
N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDS8882 N-Channel PowerTrench® MOSFET December 2008 FDS8882 N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 9 A, 20.0 mΩ Features General Description The FDS8882 has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance. „ Max rDS(on) = 20.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 9 A „ Max rDS(on) = 22.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 8 A „ High performance trench technology for extremely low rDS(on) and fast switching „ High power and current handling capability „ Termination is Lead-free and RoHS Compliant A

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted 10 ID = 9 A 8 6 4 2 VDD = 10 V VDD = 15 V VDD = 20 V 0 0 3 6 9 12 15 Qg, GATE CHARGE (nC) Figure 7. Gate Charge Characteristics 2000 1000 Ciss Coss 100 f = 1 MHz VGS = 0 V 20 0.1 1 Crss 10 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) 30 Figure8. CapacitancevsDrain to Source Voltage 20 10 TJ = 25 oC TJ = 100 oC 1 0.001 TJ = 125 oC 0.01 0.1 1 10 tAV, TIME IN AVALANCHE (ms) www.DataSheet4U.com Figure9. UnclampedInductive Switching Capability 100 10 VGS = 10 V 8 6 VGS = 4.5 V 4 2 RθJA = 50 oC/W 0 25 50 75 100 125 150 TA, AMBIENT TEMPERATURE (oC) Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs Ambient Temperature 100 THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) 10 100 us 1 0.1 0.01 0.01 1 ms 10 ms SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RθJA = 125 oC/W TA = 25 oC 100 ms 1s 10 s DC 0.1 1 10 VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) 100 Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area 1000 100 10 VGS = 10 V SINGLE PULSE RθJA = 125 oC/W TA = 25 oC 1 0.1 10-4 10-3 10-2 10-1 1 10 t, PULSE WIDTH (sec) 100 1000 Figure 12. Single Pulse Maximum Power Dissipation ©2008 Fairchild Semiconductor Corporation FDS8882 Rev.C 4 www.fairchildsemi.com

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