FGA30N120FTD 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FGA30N120FTD은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FGA30N120FTD의 기능 및 특징 중 하나는 "Trench IGBT" 입니다.


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FGA30N120FTD 기능
Trench IGBT
Fairchild Semiconductor
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FGA30N120FTD 1200 V, 30 A Field Stop Trench IGBT April 2013 FGA30N120FTD 1200 V, 30 A Field Stop Trench IGBT Features • Field Stop Trench Technology • High Speed Switching • Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.6 V @ IC = 30 A • High Input Impedance Applications • Solar Inverter, UPS, Welder, PFC General Description Using advanced field stop trench technology, Fairchild®’s 1200V trench IGBTs offer superior conduction and switching performances for soft switching applications. The device can operate in parallel configuration with exceptional avalanche ruggedness. This device is designed for induction heating and microwave oven. C GCE

Contents of page 4 out of 10 pages :

Typical Performance Characteristics Figure 1. Typical Output Characteristics 180 TC = 25oC 20V 150 17V 15V 120 12V 90 60 10V 9V 30 VGE = 8V 0 02468 Collector-Emitter Voltage, VCE [V] Figure 3. Typical Saturation Voltage Characteristics 120 Common Emitter 100 VGE = 15V TC = 25oC 80 TC = 125oC 60 40 20 0 0246 Collector-Emitter Voltage, VCE [V] Figure 5. Saturation Voltage vs. Case Temperature at Variant Current Level 3.0 Common Emitter VGE = 15V 2.5 60A 2.0 30A 1.5 IC = 10A 1.0 25 50 75 100 125 Collector-EmitterCase Temperature, TC [oC] Figure 2. Typical Output Characteristics 180 TC = 125oC 150 20V 17V 15V 120 90 12V 60 10V 30 9V 0 VGE = 8V 02468 Collector-Emitter Voltage, VCE [V] Figure 4. Transfer Characteristics 120 Common Emitter VCE = 20V 100 TC = 25oC TC = 125oC 80 60 40 20 0 0 5 10 Gate-Emitter Voltage,VGE [V] Figure 6. Saturation Voltage vs. VGE 15 20 Common Emitter TC = 25oC 16 12 8 4 60A 30A IC = 15A 0 0 4 8 12 16 20 Gate-Emitter Voltage, VGE [V] ©2009 Fairchild Semiconductor Corporation FGH30N120FTD Rev. C0 4 www.fairchildsemi.com

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