FGA30N60LSD 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FGA30N60LSD은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FGA30N60LSD의 기능 및 특징 중 하나는 "MOSFETs and bipolar transistors" 입니다.


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FGA30N60LSD 기능
MOSFETs and bipolar transistors
Fairchild Semiconductor
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FGA30N60LSD October 2008 FGA30N60LSD Features • Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC = 30A • High Input Impedance • Low Conduction Loss tm General Description The FGA30N60LSD is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors.This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Applications • Solar Inverters • UPS, Welder C G E Absolute Maximum Ratings Symbol VCES VGES IC Gate-Emitter Voltage Collector Current Collector Current Pulsed Collector Current ICM (1) Non-repetitive Peak Surge Curr

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Typical Performance Characteristics Figure 1.Typical Output Characteristics 90 TC = 25oC 60 VGE = 20V 15V 12V 10V 8V Figure 2. Typical Saturation Voltage Characteristics 90 TC = 125oC 60 VGE = 20V 15V 12V 10V 8V 30 30 0 0123 Collector-Emitter Voltage, VCE [V] Figure 3. Typical Saturation Voltage Characteritics 4 90 Common Emitter VGE = 15V TC = 25oC TC = 125oC 60 0 0123 Collector-Emitter Voltage, VCE [V] Figure 4. Transfer characteristics 4 90 Common Emitter VCE = 20V TC = 25oC TC = 125oC 60 30 30 www.DataSheet4U0.c0om 1 2 3 Collector-Emitter Voltage, VCE [V] Figure 5. Saturation Voltage vs. Case Temperature at Variant Current Level 1.4 Common Emitter VGE = 15V 1.2 60A 1.0 30A IC = 15A 0.8 0.6 25 50 75 100 125 Collector-EmitterCase Temperature, TC [oC] 0 0 2 4 6 8 10 12 Gate-Emitter Voltage,VGE [V] Figure 6. Saturation Voltage vs. Vge 20 Common Emitter 16 T C = 25oC 12 8 4 60A 30A IC = 15A 0 0 4 8 12 16 20 Gate-Emitter Voltage, VGE [V] FGA30N60LSD Rev. A 4 www.fairchildsemi.com

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