FGA70N30TD 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FGA70N30TD은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FGA70N30TD의 기능 및 특징 중 하나는 "70A PDP IGBT" 입니다.


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FGA70N30TD 기능
70A PDP IGBT
Fairchild Semiconductor
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FGA70N30TD 300V, 70A PDP Trench IGBT December 2007 FGA70N30TD 300V, 70A PDP IGBT Features • High current capability • Low saturation voltage: VCE(sat) =1.5V @ IC = 40A • High input impedance • Fast switching • RoHS complaint tm General Description Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses are essential. Application . PDP System C G TO-3P G C E E Absolute Maximum Ratings Symbol VCES VGES Gate-Emitter Voltage @ TC = 25oC @ TC = 100°C @ TC = 25oC @ TC = 100oC Description Collector-Emitter Voltage Ratings 30

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Typical Performance Characteristics Figure 1. Typical Output Characteristics 160 TC = 25oC 10V 20V 120 15V 12V 80 VGE = 8V 40 Figure 2. Typical Output Characteristics 160 TC = 125oC 10V 120 20V 15V 12V 80 VGE = 8V 40 0 0246 Collector-Emitter Voltage, VCE [V] Figure 3. Typical Saturation Voltage Characteristics 160 Common Emitter VGE = 15V TC = 25oC 120 TC = 125oC 8 80 40 0 0246 Collector-Emitter Voltage, VCE [V] Figure 4. Transfer Characteristics 160 Common Emitter 100 VCE = 20V TC = 25oC TC = 125oC 8 10 0 www.DataSheet4U.c0om 123 Collector-Emitter Voltage, VCE [V] 4 Figure 5. Saturation Voltage vs. Case Temperature at Variant Current Level 2.4 Common Emitter VGE = 15V 2.0 70A 1.6 40A 1.2 IC = 20A 0.8 25 50 75 100 125 Collector-EmitterCase Temperature, TC [oC] 1 2 4 6 8 10 12 Gate-Emitter Voltage,VGE [V] Figure 6. Saturation Voltage vs. VGE 20 Common Emitter TC = 25oC 16 12 8 40A 4 70A IC = 20A 0 48 12 16 Gate-Emitter Voltage, VGE [V] 20 FGA70N30TD Rev. A 4 www.fairchildsemi.com

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FGA70N30T

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Fairchild Semiconductor
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