SPP47N10L 데이터시트 PDF



Infineon Technologies AG에서 제조한 전자 부품 SPP47N10L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



SPP47N10L의 기능 및 특징 중 하나는 "SIPMOS Power-Transistor" 입니다.


PDF 형식의 SPP47N10L 자료 제공

SPP47N10L 기능
SIPMOS Power-Transistor
Infineon Technologies AG
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SPP47N10L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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Preliminary data SPI47N10L SPP47N10L,SPB47N10L Feature SIPMOS =Power-Transistor Product Summary VDS RDS(on) ID P-TO262-3-1 P-TO263-3-2  N-Channel  Enhancement mode  Logic Level 175°C operating temperature  Avalanche rated  dv/dt rated 100 26 47 P-TO220-3-1 V m A Type SPP47N10L SPB47N10L SPI47N10L Package P-TO220-3-1 P-TO263-3-2 P-TO262-3-1 Ordering Code Q67040-S4177 Q67040-S4176 tbd Marking 47N10L 47N10L 47N10L Maximum Ratings,at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Continuous TC=25°C TC=100°C Symbol drain current ID Value 47 33 Unit A Pulsed drain current TC=25°C ID puls EAS EAR dv/dt VG

Contents of page 4 out of 8 pages :

Preliminary data SPI47N10L SPP47N10L,SPB47N10L 1 Power dissipation Ptot = f (TC) 190 SPP47N10L W 160 140 120 100 80 60 40 20 00 20 40 60 80 100 120 140 160 °C 190 TC 3 Safe operating area ID = f ( VDS ) www.DaptaaSrhaemet4eUt.ceorm: D = 0 , TC = 25 °C 10 3 SPP47N10L A 10 2 tp = 7.1µs 10 µs 2 Drain current ID = f (TC) parameter: VGS 10 V SPP47N10L 55 A 45 40 35 30 25 20 15 10 5 00 20 40 60 80 100 120 140 160 °C 190 TC 4 Transient thermal impedance ZthJC = f (tp) parameter : D = tp/T 10 1 SPP47N10L K/W 10 0 10 -1 10 1 10 0 10 -1 10 0 100 µs 1 ms 10 ms DC 10 1 10 2 V 10 3 VDS 10 -2 10 -3 single pulse D = 0.50 0.20 0.10 0.05 0.02 0.01 10 -4 10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 tp Page 4 2001-08-24

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SPP47N10L datasheet
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SPP47N10

SIPMOS Power-Transistor

Infineon Technologies AG
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SPP47N10L

SIPMOS Power-Transistor

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