LN5R02 데이터시트 PDF



Lii Semiconductor에서 제조한 전자 부품 LN5R02은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



LN5R02의 기능 및 특징 중 하나는 "AC / DC switching power supply controller ICs" 입니다.


PDF 형식의 LN5R02 자료 제공

LN5R02 기능
AC / DC switching power supply controller ICs
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LN5R02 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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澎湃動力 源於力美 LN5R01/02/03A AC/DC 開關電源控制器集成電路 主要特點 ™ 超高性價比 ™ 具有高效驅動電路,提升效率 3-5% ™ 待機降頻功能,待機功耗小于 0.1W ™ 過壓欠壓保護功能與短路保護功能 ™ 過溫保護功能 ™ 具有溫度補償,精確電流控制 ™ 低啟動電流和低工作電流 ™ 無需反饋補償電容,负载響應快速 ™ 低待機功率和高轉換效率 ™ 滿足能源之星 2.0 要求 ™ 宽壓輸出功率 1W/2W/3W 應用領域 — 手機充電器 — 電源適配器 — 電池充電器 — 便攜式設備充電電源 — 家電控制器電源 概述 LN5R01/02/03A

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澎湃動力 源於力美 振蕩器部分: 符號 Fs ΔFsv ΔFsT Tqy 說明 振盪頻率 頻率隨電壓變化率 頻率隨溫度變化率 前沿消隱時間 LN5R01/02/03A 測試條件 Ct=300PF Vcc=5.5-11V Ta=0-85℃ Ct=300PF 最小 55 - - - 典型 60 - - 800 最大 65 1 1 - 單位 kHz % % Ns PWM 部分: 符號 DMIN DMAX 說明 最小開通占空比 最大開通占空比 測試條件 VFB=0V VFB>4.5V 最小 53 典型 3.5 57 最大 61 單位 % % 電流限制部分: 符號 ILIMIT TLEB TILD 說明 峰值電流限制 前沿消隱時間 電流限制延時 測試條件 (LN5R03A) 最小 330 典型 350 200 300 最大 370 單位 mA nS nS 回饋部分: 符號 IFB RFB 說明 反饋上拉電流 反饋下拉電阻 電源抑制比 測試條件 VCC=5.5-11V 最小 - - 典型 0.50 30 60 最大 0.60 70 單位 mA KΩ dB 電源部分: 符號 IqST IST VST VOST VSZ 說明 啟動靜態電流 靜態電流 啟動電壓 再啟動電壓 VCC 限制電壓 Copyright(C) 2009 Liemic Semiconductor 測試條件 VCC=8V -4- 最小 - - 8.6 10 典型 55 2.8 8.8 4.5 10.3 最大 80 - 9.0 11.5 單位 uA mA V V V www.liemic.com

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LN5R02 datasheet
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