MDF11N65B 데이터시트 PDF



MagnaChip에서 제조한 전자 부품 MDF11N65B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



MDF11N65B의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel MOSFET" 입니다.


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MDF11N65B 기능
N-Channel MOSFET
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MDF11N65B N-channel MOSFET 650V MDF11N65B N-Channel MOSFET 650V, 12A, 0.65Ω General Description These N-channel MOSFET are produced using advanced MagnaChip’s MOSFET Technology, which provides low onstate resistance, high switching performance and excellent quality. These devices are suitable device for SMPS, high Speed switching and general purpose applications. Features VDS = 650V ID = 12A RDS(ON) ≤ 0.65Ω @ VGS = 10V @ VGS = 10V Applications Power Supply PFC High Current, High Speed Switching D TO-220F MDF Series G Absolute Maximum Ratings (Ta = 25oC) Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Characteristics Continuous Drain Curren

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10 ※ Note : ID = 12.0A 8 6 130V 325V 520V 4 2 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 QG, Total Gate Charge [nC] Fig.7 Gate Charge Characteristics 2800 Coss 2400 2000 Ciss Ciss = Cgs + Cgd (Cds = shorted) Coss = Cds + Cgd Crss = Cgd 1600 1200 800 Crss 400 ※ Notes ; 1. VGS = 0 V 2. f = 1 MHz 0 1 10 VDS, Drain-Source Voltage [V] Fig.8 Capacitance Characteristics 102 Operation in This Area is Limited by R DS(on) 10 µs 101 100 µs 1 ms 10 ms 100 ms DC 100 10-1 10-2 10-1 Single Pulse TJ=Max rated TC=25℃ 100 101 102 VDS, Drain-Source Voltage [V] Fig.9 Maximum Safe Operating Area D=0.5 100 0.2 0.1 0.05 0.02 10-1 0.01 single pulse ※ Notes : Duty Factor, D=t1/t2 PEAK TJ = PDM * Zθ JC* Rθ JC(t) + TC RΘ JC=2.52℃/W 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 t1, Rectangular Pulse Duration [sec] Fig.10 Transient Thermal Response Curve 6000 single Pulse 5000 RthJC =2.52℃/W TC =25℃ 4000 3000 2000 1000 0 1E-5 1E-4 1E-3 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Fig.11 Single Pulse Maximum Power Dissipation 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 25 50 75 100 125 TC, Case Temperature [℃] 150 Fig.12 Maximum Drain Current vs. Case Temperature Aug 2011 Version 1.1 4 MagnaChip Semiconductor Ltd.

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MDF11N65B datasheet
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