NT5CB256M4AN 데이터시트 PDF



Nanya에서 제조한 전자 부품 NT5CB256M4AN은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



NT5CB256M4AN의 기능 및 특징 중 하나는 "1Gb DDR3 SDRAM A-Die" 입니다.


PDF 형식의 NT5CB256M4AN 자료 제공

NT5CB256M4AN 기능
1Gb DDR3 SDRAM A-Die
Nanya
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NT5CB256M4AN 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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1Gb DDR3 SDRAM A-Die NT5CB256M4AN / NT5CB128M8AN / NT5CB64M16AP Feature  1.5V ± 0.075V (JEDEC Standard Power Supply)  8 Internal memory banks (BA0- BA2)  Differential clock input (CK, )  Programmable  Latency: 5, 6, 7, 8, 9  Programmable Additive Latency: 0, CL-1, CL-2  Programmable Sequential / Interleave Burst Type  Programmable Burst Length: 4, 8  8 bit prefetch architecture  Output Driver Impedance Control  Write Leveling  OCD Calibration  Dynamic ODT (Rtt_Nom & Rtt_WR)  Auto Self-Refresh  Self-Refresh Temperature  Partial Array Self-Refresh  RoHS Compliance  Packages: 78-Ball BGA

Contents of page 4 out of 30 pages :

1Gb DDR3 SDRAM A-Die NT5CB256M4AN / NT5CB128M8AN / NT5CB64M16AP Pin Configuration – 96 balls BGA Package (x16) 1 VDDQ VSSQ VDDQ VSSQ VSS VDDQ VSSQ VREFDQ NC ODT NC VSS VDD VSS VDD VSS < TOP View> See the balls through the package 2 DQU5 VDD DQU3 VDDQ VSSQ DQL2 DQL6  VSS VDD  BA0 A3 A5 A7  3 DQU7 VSS DQU1 DMU DQL0 DQSL  DQL4    BA2 A0 A2 A9 NC x 16 A 7 DQU4 B  C DQSU D DQU0 E DML F DQL1 G VDD H DQL7 J CK K  L A10/AP M NC N A12 P A1 R A11 T NC 8 VDDQ DQU6 DQU2 VSSQ VSSQ DQL3 VSS DQL5 VSS VDD ZQ VREFCA BA1 A4 A6 A8 9 VSS VSSQ VDDQ VDD VDDQ VSSQ VSSQ VDDQ NC CKE NC VSS VDD VSS VDD VSS REV 1.2 01 / 2009 4

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NT5CB256M4AN datasheet
NT5CB256M4AN pinouts
[ NT5CB256M4AN.PDF 데이터시트 ]

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