BUK762R7-30B 데이터시트 PDF



NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUK762R7-30B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



BUK762R7-30B의 기능 및 특징 중 하나는 "N-channel TrenchMOS standard level FET" 입니다.


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BUK762R7-30B 기능
N-channel TrenchMOS standard level FET
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BUK762R7-30B N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 04 — 8 June 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Features and benefits „ Low conduction losses due to low on-state resistance „ Q101 compliant „ Suitable for standard level gate drive sources „ Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating 1.3 Applications „ 12 V loads „ Automotive systems

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NXP Semiconductors 250 ID (A) 200 03ng51 150 100 50 Capped at 75 A due to package 0 0 50 100 150 200 Tmb (°C) BUK762R7-30B N-channel TrenchMOS standard level FET 120 Pder (%) 80 03na19 40 0 0 50 100 150 200 Tmb (°C) Fig 1. Normalized continuous drain current as a function of mounting base temperature Fig 2. Normalized total power dissipation as a function of mounting base temperature 104 ID (A) 103 102 10 Limit RDSon = VDS/ID Capped at 75 A due to package DC 03ng27 tp = 10 μs 100 μs 1 ms 10 ms 100 ms 1 10−1 1 10 102 VDS (V) Fig 3. Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage BUK762R7-30B Product data sheet All information provided in this document is subject to legal disclaimers. Rev. 04 — 8 June 2010 © NXP B.V. 2010. All rights reserved. 4 of 14

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