FDS3692 데이터시트 PDF



Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS3692은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



FDS3692의 기능 및 특징 중 하나는 "N-Channel PowerTrench MOSFET" 입니다.


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FDS3692 기능
N-Channel PowerTrench MOSFET
Fairchild Semiconductor
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FDS3692 September 2002 FDS3692 N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 4.5A, 60mΩ Features • rDS(ON) = 50mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 4.5A • Qg(tot) = 11nC (Typ.), VGS = 10V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • Optimized efficiency at high frequencies • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Formerly developmental type 82745 Applications • DC/DC converters and Off-Line UPS • Distributed Power Architectures and VRMs • Primary Switch for 24V and 48V Systems • High Voltage Synchronous Rectifier • Direct Injection / Diesel Injection Systems • 42V Automotive Load Control • Electronic Valve Train Systems Brandin

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Typical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted 200 7 100 10µs STARTING TJ = 25oC 10 100µs 1 0.1 0.01 OPERATION IN THIS AREA MAY BE LIMITED BY rDS(ON) SINGLE PULSE TJ = MAX RATED TC = 25oC 1ms 10ms 100ms 1s 0.1 1 10 100 300 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure 5. Forward Bias Safe Operating Area STARTING TJ = 150oC 1 If R = 0 tAV = (L)(IAS)/(1.3*RATED BVDSS - VDD) If R ≠ 0 tAV = (L/R)ln[(IAS*R)/(1.3*RATED BVDSS - VDD) +1] 0.1 0.01 0.1 1 10 tAV, TIME IN AVALANCHE (ms) 100 NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7514 and AN7515 Figure 6. Unclamped Inductive Switching Capability 30 PULSE DURATION = 80µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX 25 VDD = 15V 20 15 TJ = 150oC 10 TJ = 25oC TJ = -55oC 5 0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 VGS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure 7. Transfer Characteristics 6.5 30 TA = 25oC 25 VGS = 10V 20 15 10 5 0 0 VGS = 6V VGS = 7V VGS = 5V PULSE DURATION = 80µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX 0.5 1.0 1.5 VDS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) 2.0 Figure 8. Saturation Characteristics 70 VGS = 6V 65 60 55 VGS = 10V 50 PULSE DURATION = 80µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX 45 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 ID, DRAIN CURRENT (A) Figure 9. Drain to Source On Resistance vs Drain Current 2.5 PULSE DURATION = 80µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX 2.0 1.5 1.0 0.5 -80 VGS = 10V, ID = 4.5A -40 0 40 80 120 TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC) 160 Figure 10. Normalized Drain to Source On Resistance vs Junction Temperature ©2002 Fairchild Semiconductor Corporation FDS3692 Rev. B

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FDS3692 datasheet
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