DG2N60 데이터시트 PDF



DGME에서 제조한 전자 부품 DG2N60은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



DG2N60의 기능 및 특징 중 하나는 "N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET" 입니다.


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DG2N60 기능
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DGME
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DG2N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号:V1.0 产品概述 General Description DG2N60是N沟道增强型场效应晶体管,应用了东光微电的相关专利技术,采用自对准平 面工艺及先进的终端耐压技术,降低了导通损耗,提高了开关特性,增强了雪崩耐量。该 产品能应用于多种功率开关电路,使得电源能效更高,系统更加小型化。 DG2N60 is an N-channel enhancement mode MOSFET, which is produced using Dongguang Micro-electronics’s proprietary. The self-aligned planar process and improved terminal technology reduce the conduction l

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开关特性 Switching Characteristics 参数名称 Parameter 延迟时间Turn-On delay time 符号 Symbol td(on) 测试条件 Tests Conditions 最小 Min - 上升时间Turn-On rise time 延迟时间Turn-Off delay time tr td(off) VDD=300V, ID=2A, RG=25Ω (note 4,5) - - 下降时间Turn-Off Fall time tf - 栅极电荷总量Total Gate Charge 栅-源电荷Gate-Source charge 栅-漏电荷Gate-Drain charge Qg Qgs VDS =480V , ID=2A, VGS =10V (note 4,5) Qgd - - - 典型 最大 单位 Type Max Unit 16 40 ns 50 110 ns 40 90 ns 45 95 ns 16 22 nC 2.1 - nC 7.5 - nC 漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 参数名称 符号 测试条件 最小 Parameter 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current Symbol Tests Conditions IS ISM Min - - 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VSD VGS=0V, IS=2A - 反向恢复时间 Reverse recovery time 反向恢复电荷 Reverse recovery charge trr - VGS=0V, IS=2A dIF/dt=100A/µs (note 4) Qrr - 典型 最大 单位 Type Max Unit - 2A - 6A - 1.5 V 260 - ns 1.5 - µC 注释: 1:脉冲宽度由最高结温限制 2:L=55mH, IAS=2A, VDD=50V, RG=25 Ω, 起始结温TJ=25℃ 3:ISD ≤2A, di/dt ≤300A/µs, VDD≤BVDSS, 起始结温TJ=25℃ 4:脉冲测试:脉冲宽度≤300µs,占空比≤2% 5:基本与工作温度无关 Notes: 1:Pulse width limited by maximum junction temperature 2:L=55mH, IAS=2A, VDD=50V, RG=25Ω, Starting TJ=25℃ 3:ISD ≤2A, di/dt ≤300A/µs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4:Pulse Test: Pulse Width ≤300µs, Duty Cycle≤2% 5:Essentially independent of operating temperature 4 /11

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DG2N60 datasheet
DG2N60 pinouts
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