IS42S32400E - 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

ISSI에서 제조한 전자 부품 IS42S32400E은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.

IS42S32400E의 기능 및 특징 중 하나는 "128Mb SYNCHRONOUS DRAM" 입니다.

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IS42S32400E 기능

128Mb SYNCHRONOUS DRAM

ISSI

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IS42S32400E IS45S32400E 4M x 32 128Mb SYNCHRONOUS DRAM NOVEMBER 2010 FEATURES • Clock frequency: 166, 143, 133 MHz • Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge • Internal bank for hiding row access/precharge • Single Power supply: 3.3V + 0.3V • LVTTL interface • Programmable burst length – (1, 2, 4, 8, full page) • Programmable burst sequence: Sequential/Interleave • Auto Refresh (CBR) • Self Refresh • 4096 refresh cycles every 16ms (A2 grade) or 64 ms (Commercial, Industrial, A1 grade) • Random column address every clock cycle • Programmable CAS latency (2, 3 clocks) • Burst re

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IS42S32400E, IS45S32400E PIN CONFIGURATION package code: B 90 bALL Tf-bga (Top View) (8.00 mm x 13.00 mm Body, 0.8 mm Ball Pitch) 123456789 A DQ26 DQ24 VSS B DQ28 VDDQ VSSQ C VSSQ DQ27 DQ25 D VSSQ DQ29 DQ30 E VDDQ DQ31 NC F VSS DQM3 A3 G A4 A5 A6 H A7 A8 NC J CLK CKE A9 K DQM1 NC NC L VDDQ DQ8 VSS M VSSQ DQ10 DQ9 N VSSQ DQ12 DQ14 P DQ11 VDDQ VSSQ R DQ13 DQ15 VSS VDD DQ23 DQ21 VDDQ VSSQ DQ19 DQ22 DQ20 VDDQ DQ17 DQ18 VDDQ NC DQ16 VSSQ A2 DQM2 VDD A10 A0 A1 NC BA1 A11 BA0 CS RAS CAS WE DQM0 VDD DQ7 VSSQ DQ6 DQ5 VDDQ DQ1 DQ3 VDDQ VDDQ VSSQ DQ4 VDD DQ0 DQ2 PIN DESCRIPTIONS A0-A11 Row Address Input A0-A7 Column Address Input BA0, BA1 Bank Select Address DQ0 to DQ31 Data I/O CLK System Clock Input CKE Clock Enable CS Chip Select RAS Row Address Strobe Command CAS Column Address Strobe Command WE DQM0-DQM3 Vdd Vss Vddq Vssq NC Write Enable x32 Input/Output Mask Power Ground Power Supply for I/O Pin Ground for I/O Pin No Connection 4 Integrated Silicon Solution, Inc. - www.issi.com Rev. E 10/28/10

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부품번호	상세설명 및 기능	제조사
IS42S32400A	16Meg x 8/ 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM	Integrated Silicon Solution Inc
IS42S32400A	128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM	Integrated Circuit Solution

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