IS45S32400B - 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

ISSI에서 제조한 전자 부품 IS45S32400B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.

IS45S32400B의 기능 및 특징 중 하나는 "128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM" 입니다.

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IS45S32400B 기능

128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

ISSI

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IS45S32400B 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM ISSI® JULY 2006 FEATURES • Clock frequency: 166, 143, 125, 100 MHz • Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge • Internal bank for hiding row access/precharge • Power supply IS45S32400B VDD VDDQ 3.3V 3.3V • LVTTL interface • Programmable burst length – (1, 2, 4, 8, full page) • Programmable burst sequence: Sequential/Interleave • Auto Refresh (CBR) • Self Refresh with programmable refresh periods • 4096 refresh cycles every 64 ms • Random column address every clock cycle • Programmable CAS latency (2, 3 clocks) • Burst read/write and bu

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IS45S32400B ISSI ® PIN CONFIGURATION PACKAGE CODE: B 90 BALL FBGA (Top View) (8.00 mm x 13.00 mm Body, 0.8 mm Ball Pitch) 123456789 A DQ26 DQ24 VSS B DQ28 VDDQ VSSQ C VSSQ DQ27 DQ25 D VSSQ DQ29 DQ30 E VDDQ DQ31 NC F VSS DQM3 A3 G A4 A5 A6 H A7 A8 NC J CLK CKE A9 K DQM1 NC NC L VDDQ DQ8 VSS M VSSQ DQ10 DQ9 N VSSQ DQ12 DQ14 P DQ11 VDDQ VSSQ R DQ13 DQ15 VSS VDD DQ23 DQ21 VDDQ VSSQ DQ19 DQ22 DQ20 VDDQ DQ17 DQ18 VDDQ NC DQ16 VSSQ A2 DQM2 VDD A10 A0 A1 NC BA1 A11 BA0 CS RAS CAS WE DQM0 VDD DQ7 VSSQ DQ6 DQ5 VDDQ DQ1 DQ3 VDDQ VDDQ VSSQ DQ4 VDD DQ0 DQ2 PIN DESCRIPTIONS A0-A11 A0-A7 BA0, BA1 DQ0 to DQ31 CLK CKE CS RAS CAS Row Address Input Column Address Input Bank Select Address Data I/O System Clock Input Clock Enable Chip Select Row Address Strobe Command Column Address Strobe Command WE DQM0-DQM3 VDD Vss VDDQ VssQ NC Write Enable x32 Input/Output Mask Power Ground Power Supply for I/O Pin Ground for I/O Pin No Connection 4 Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774 Rev. B 07/10/06

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부품번호	상세설명 및 기능	제조사
IS45S32400B	128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM	ISSI
IS45S32400E	128Mb SYNCHRONOUS DRAM	ISSI

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