PT236T30E2 데이터시트 PDF



Prisemi에서 제조한 전자 부품 PT236T30E2은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.



PT236T30E2의 기능 및 특징 중 하나는 "Transistor" 입니다.


PDF 형식의 PT236T30E2 자료 제공

PT236T30E2 기능
Transistor
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Feature This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant.  Very low collector to emitter saturation voltage  DC current gain >100  3A continuous collector current  PNP epitaxial planar silicon transistor PT236T30E2 Transistor 16 25 34 Mechanical Characteristics  Lead finish:100% matte Sn(Tin)  Mounting position: Any  Qualified max reflow temperature:260℃  Device meets MSL 1 requirements  Pure tin plating: 7 ~ 17 um  Pin flatness:≤3mil Electrical characteristics per line@25℃( unless otherwise specified) Parameter Collector-Emitter Breakdown Voltage Collector-Base Breakdown Voltage Emitter -Base Bre

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Transistor Solder Reflow Recommendation Peak Temp=257℃, Ramp Rate=0.802deg. ℃/sec 280 PT236T30E2 240 200 160 120 80 40 0 0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 330 360 390 420 450 480 Time (sec) Product dimension (SOT-23-6L) （6） A C （1） D E F G θ B J H K Rev.06 4 www.prisemi.com

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PT236T30E2 datasheet
PT236T30E2 pinouts
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