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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | 13003BR | MJE13003BR MJE13003 FEATURES Power dissipation PCM : 1.25 NPN SILICON TRANSISTOR TO 126 W Tamb=25 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER Collector current 1.5 A ICM : Collector-base voltage V(BR)CBO : 700 V 123 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Parameter Colle |
ETC |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
13003 | NPN Epitaxial Silicon Transistor 13003 NPN Epitaxial Silicon Transistor TO-220 HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS Collector-Emitter Voltage: VCEO=400V Collector Dissipation: PC(max)=1500mW Absolute Maximum Ratings (TA=25oC) Characteristic Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage C |
Elite Enterprises |
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13003 | HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED SWITCH 13003 STANDARD · · 65 HSiN 13003 PEFORMANCE CURVES 1 Ic(A) SOA (DC) 120 100 % Pc Tj 0.1 80 IS/B 60 Ptot 0.01 40 20 0.001 1 hFE 10 100 Vce(V) 0 1000 0 50 100 150 Tj( ) 200 hFE - Ic 100 100 hFE hFE - Ic Tj=125 Tj=25 Tj=125 Tj=25 10 Tj= − 40 |
HSiN |
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13003ADA | NPN SILICON TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003ADA Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION DESCRIPTION The UTC 13003ADA is a silicon NPN power switching transistor; it uses UTC’s advanced technology to provide customers h |
Unisonic Technologies |
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13003ADG | NPN SILICON TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003ADG Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 |
Unisonic Technologies |
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