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1EDI10I12MF 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Single Channel Igbt Gate Driver의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | 1EDI10I12MF | Single Channel IGBT Gate Driver IC 1EDI EiceDRIVER™ Compact Output with Clamp variant for IGBT Single Channel IGBT Gate Driver IC 1EDI10I12MF 1EDI20I12MF 1EDI30I12MF Data Sheet Rev. 2.0, 2014-11-10 Industrial Power Control Edition 2014-11-10 Published by Infineon Technologies AG 81726 Munich |
Infineon |
관련 키워드 검색 결과 ( 1EDI10I12, 11012 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
MJ11012 | 30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJ11012/D High-Current Complementary Silicon Transistors ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î |
Motorola Inc |
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MJ11012 | NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS) MJ11012 NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS TO-3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C) Characteristic Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Collector Current (DC) Collector Dissipation (Tc=25°C) Junction T |
Wing Shing Computer Components |
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MJ11012 | DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON ON Semiconductort PNP High-Current Complementary Silicon Transistors . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. MJ11015 MJ11012 NPN • High DC Current Gain — • • hFE = 1000 (Min) @ IC – 20 Adc Monolith |
ON Semiconductor |
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MJ11012 | POWER TRANSISTORS(30A/60-120V/200W) A A A |
Mospec Semiconductor |
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