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2SB1375 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 SilICon PNP Triple Diffused Type의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
4 | 2SB1375 | SILICON PNP TRANSISTOR 2SB1375(3CD1375) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR 用途:用于音频功率放大。 Purpose: Audio frequency power amplifier applications. 特点:饱和压降低,集电极耗散功率大;可与 2SD2012(3DD2012)互补。/Features: Low V |
BLUE ROCKET ELECTRONICS |
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3 | 2SB1375 | Silicon PNP Triple Diffused Type Silicon PNP Triple Diffused Type FEATURES z Low Saturation Voltage:VCE(sat)=-1.5V(max.) (IC/IB=-2A/-0.2A) Pb z High Power Dissipation:PC=25W(TC=25℃) Lead-free z Complements the 2SD2012. Production specification 2SB1375 TO-220AB MAXIMUM RATING operat |
Galaxy Microelectronics |
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2 | 2SB1375 | SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1375 DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SD2012 ·Low collector saturation voltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max) at IC=-2A,IB=-0.2A ·Collector po |
SavantIC |
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1 | 2SB1375 | SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SB1375 Audio Frequency Power Amplifier 2SB1375 Unit: mm • Low saturation voltage: VCE (sat) = −1.5 V (max) (IC = −2 A, IB = −0.2 A) • High power dissipation: PC = 25 W (Tc = 25°C) • Collector |
Toshiba Semiconductor |
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