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2SC2719 데이터시트 PDF ( Data sheet ) |
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
| 1 | 2SC2719 | Transistors Free Datasheet http:/// Free Datasheet http:/// Free Datasheet http:/// Free Datasheet http:/// |
 NEC Electronics |
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Datasheet 2SC271 PDF - 시작하는 검색결과 |
| 부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
| 2SC2712 | NPN Silicon General Purpose Transistor 2SC2712 Elektronische Bauelemente NPN Silicon General Purpose Transistor A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES *Power Dissipation PCM: 150 mW (Tamb=25 oC) *Collector Current ICM: 150 mA *Collector-Base Voltage V(BR)CBO: 60 V *Operating and Storage Jun |
 SeCoS |
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| 2SC2712 | Silicon Epitaxial Planar Transistor BL Galaxy Electrical Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES z z z z Low noise：NF=1dB (Typ.),10 dB(Max). Complementary to 2SA1162. High voltage and high current. High hFE linearity. Production specification 2SC2712 Pb Lead-free APPLICATIONS z Audio frequency general pu |
 Galaxy Semi-Conductor |
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| 2SC2715M | TRANSISTOR JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B (1.2×1.2×0.5) unit: mm 2SC2715M TRANSISTOR DESCRIPTION NPN Epitaxial planar Silicon Transistor TOP B 1. BASE E C FEATURES High power gain: Gpe=27dB(f=10.7MHz) Recommen |
 Jiangsu Changjiang |
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| 2SC2712 | NPN Transistor Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Noise: NF=1 dB (Typ),10dB(MAX) Complementary to 2SA1162 2SC2712 (NPN) MAXIMUM RATINGS (TA=25 Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation J |
 HOTTECH |
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