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2SK2975 데이터시트 PDF ( Data sheet ) |
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
| 1 | 2SK2975 | RF POWER MOS FET(VHF/UHF power amplifiers) MITSUBISHI RF POWER MOS FET 2SK2975 DESCRIPTION 2SK2975 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF power amplifiers applications. OUTLINE DRAWING INDEX MARK (TOP) Dimensions in mm (BOTTOM) FEATURES • High power gain:Gpe≥8.4dB @VD |
 Mitsubishi Electric Semiconductor |
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Datasheet 2SK297 PDF - 시작하는 검색결과 |
| 부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
| 2SK2977 | DC/DC Converter Applications Ordering number:ENN6423 N-Channel Silicon MOSFET 2SK2977LS DC/DC Converter Applications Features · Low ON resistance. · 4V drive. Package Dimensions unit:mm 2078B [2SK2977LS] 10.0 3.5 4.5 2.8 3.2 7.2 16.0 16.1 0.9 1.2 14.0 3.6 0.7 0.75 1 2 3 Specifications Absolute |
 Sanyo Semicon Device |
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| 2SK2977LS | DC/DC Converter Applications Ordering number:ENN6423 N-Channel Silicon MOSFET 2SK2977LS DC/DC Converter Applications Features · Low ON resistance. · 4V drive. Package Dimensions unit:mm 2078B [2SK2977LS] 10.0 3.5 4.5 2.8 3.2 7.2 16.0 16.1 0.9 1.2 14.0 3.6 0.7 0.75 1 2 3 Specifications Absolute |
Sanyo Semicon Device |
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| 2SK2972 | High Speed / High Voltage Switching Applications / Switching Regulator Applications |
 Toshiba |
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| 2SK2978 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK2978 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ADE-208-659B (Z) 3rd. Edition Jun 1998 Features • Low on-resistance R DS(on) = 0.09 Ω typ. (V GS = 4 V, ID = 1.5 A) • Low drive current • High speed switching • 2.5V gate drive devices. Outline UPAK 3 D 2 |
 Hitachi Semiconductor |
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