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3DD13009 데이터시트 PDF ( Data sheet )

번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사 PDF
12 3DD13009   NPN Transistor

Dayan Technology Industry Co., Ltd. Shenzhen 1. NPN 3DD13009 2. TO-220 3. 4. Ta=25 VCBO VCEO VEBO IC T a=25 PC T c=25 Tj Tstg 5 Ta=25 700 400 9 12 3.0 100 150 -55~150 V V V A W W B VCBO B VCEO B VEBO ICBO ICEO IEBO VCE sat VBEsat hFE tf ts fT

Dayan Technology
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11 3DD13009   Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor

1 3DD13009 NPN 3DD13009 2 2.1 2.2 TO-220F Tamb= 25 - Ta=25 Tc=25 VCE0 VCB0 VEB0 IC Ptot Tj Tstg 400 700 9 12 2 100 150 -55 150 V V V A W Tamb= 25 10.4max 3.2 2.7max 4.8max 2.7 15.5max 1.2 0.6 2.54 2.54 BCE 12.7min 2.3 0.6 - ICB0 VCB=700V, IE=0

ETC
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10 3DD13009   NPN Transistor

3DD13009(NPN) TO-220 Transistor 1. BASE TO-220 2. COLLECTOR Features 3 2 1 — power switching applications 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ Tstg Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emi

LGE
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9 3DD13009-A9   Silicon NPN triple diffusion type bipolar transistor

产品概述 3DD13009 A9 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD13009 A9

ETC
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8 3DD13009A8   Silicon NPN Transistor

产品概述 3DD13009 A8 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD13009 A8

Huajing Microelectronics
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