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60N035 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-channel Field Effect Transistor의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | 60N035 | N-Channel Field Effect Transistor Bay Linear Linear Excellence N-Channel Field Effect Transistor 60N035 Advance Information Description The Bay Linear n-channel power field effect transistors are produced using high cell density DMOS technology , These devices are particularly suited for lo |
ETC |
관련 키워드 검색 결과 ( 60N035, 60035 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
TPSV687x0060035 | Low ESR ( DataSheet : ) TPS Series Low ESR TPS surface mount pr oducts have inherently low ESR (equivalent series r esistance) and ar e capable of higher ripple curr ent handling, producing lower ripple voltages, less power and heat dissipation than standard product |
AVX |
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MBRP60035CTL | POWERTAP II SWITCHMODE Power Rectifier MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MBRP60035CTL/D POWERTAP™ II SWITCHMODE™ Power Rectifier The SWITCHMODE Power Rectifier uses the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. This state-of-the-art device has the following features: |
Motorola Semiconductors |
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60N03S | AP60N03S AP60N03S Advanced Power Electronics Corp. ▼ Low On-Resistance ▼ Fast Switching N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS RDS(ON) ID GD S 30V 13.5mΩ 55A ▼ Simple Drive Requirement TO-263 Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide |
Advanced Power Electronics |
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60N03L-10 | ST60N03L-10 STB60N03L-10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMIRARY DATA TYPE STB60N03L-10 s s s s s s s s V DSS 30 V R DS(on) < 0.01 Ω ID 60 A s s TYPICAL RDS(on) = 0.0085 Ω AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED REPETITIVE AVALANC |
STMicroelectronics |
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