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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | 800HB90 | Diode ( Rectifier ) |
American Microsemiconductor |
관련 키워드 검색 결과 ( 800HB90, 80090 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
SUP80090E | N-Channel MOSFET www.vishay.com SUP80090E Vishay Siliconix N-Channel 150 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () MAX. 0.0094 at VGS = 10 V 150 0.0110 at VGS = 7.5 V TO-220AB ID (A) 128 119 Qg (TYP.) 63 nC Top View S D G Ordering Information: SUP80090E-GE3 (lead (Pb)-fr |
Vishay |
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SUM80090E | N-Channel MOSFET www.vishay.com SUM80090E Vishay Siliconix N-Channel 150 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) () MAX. 0.0090 at VGS = 10 V 150 0.0105 at VGS = 7.5 V ID (A) 128 119 Qg (TYP.) 63 nC TO-263 Top View S D G Ordering Information: SUM80090E-GE3 (lead (Pb)-free an |
Vishay |
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M38257M80090FP | (M3825xxxx) SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
Mitsubishi Electric Semiconductor |
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C3M0280090D | Silicon Carbide Power MOSFET VDS 900 V C3M0280090D ID @ 25˚C 11.5 A Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology RDS(on) 280 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features Package • New C3M SiC MOSFET technology • High blocking voltage with low On-resistance • High sp |
Cree |
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