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A1931 데이터시트 PDF ( Data sheet ) |
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
| 1 | A1931 | Silicon PNP Epitaxial Type Transistor TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT PROCESS) 2SA1931 High-Current Switching Applications 2SA1931 Unit: mm • Low saturation voltage: VCE (sat) = −0.4 V (max) • High-speed switching time: tstg = 1.0 µs (typ.) • Complementary to 2SC4881 |
 Toshiba |
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Datasheet A193 PDF - 시작하는 검색결과 |
| 부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
| A1933 | 2SA1933 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) 2SA1933 2SA1933 High-Current Switching Applications Industrial Applications Unit: mm • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = −0.4 V (max) (IC = −2 A) • High-speed switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) |
Toshiba |
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| A1939 | 2SA1939 2SA1939 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA1939 Power Amplifier Applications Unit: mm • • Complementary to 2SC5196 Recommend for 40-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C) Charact |
 Toshiba Semiconductor |
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| A1932 | 2SA1932 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA1932 Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications 2SA1932 Unit: mm • High transition frequency: fT = 70 MHz (typ.) • Complementary to 2SC5174 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol |
Toshiba Semiconductor |
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| A1930 | 2SA1930 2SA1930 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA1930 Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Unit: mm • • High transition frequency: fT = 200 MHz (typ.) Complementary to 2SC5171 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristics Collec |
Toshiba Semiconductor |
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