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AT-109RTR 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Voltage Variable Absorptive Attenuator/ 35의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | AT-109RTR | Voltage Variable Absorptive Attenuator/ 35 dB 0.5 - 2 GHz Voltage Variable Absorptive Attenuator, 35 dB 0.5 - 2 GHz AT-109 V 2.00 Features Single Positive Voltage Control 0 to +5 Volts 35 dB Attenuation Range at 0.9 GHz q ±2 dB Linearity from BSL q Low DC Power Consumption q Temperature Range: -40°C to +85°C q Lo |
Tyco Electronics |
관련 키워드 검색 결과 ( AT109, AT-1 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
LH28F008SAT-12 | 8M (1M bb 8) Flash Memory LH28F008SA FEATURES 40-PIN TSOP 8M (1M × 8) Flash Memory TOP VIEW • Very High-Performance Read – 85 ns Maximum Access Time A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 CE VCC VPP PWD A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 40 39 38 37 36 35 34 33 32 |
Sharp Electrionic Components |
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TMM41257AT-15 | N-channel dynamic RAM TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCT ~~L~~~~4~~~~I~H~CBIT DYNAMIC RAM TMM41257 APIATI AZ-l 0, TMM41257 APIATI AZ-12 N-CHANNEL SILICON GAlE CMOS TMM41257 AP/AT/AZ-15 DESCRIPTION *This is advanced information and specifications are subject to change without notice. The TMM41257AP/AT/AZ |
Toshiba |
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TMM41257AT-12 | N-channel dynamic RAM |
Toshiba |
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TMM41257AT-10 | N-channel dynamic RAM |
Toshiba |
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