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Datasheet BPY64 Equivalent ( PDF ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Category |
1 | BPY64 | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 64 P
Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell
BPY 64 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweis | Siemens Semiconductor Group | data |
2 | BPY64P | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 64 P
Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell
BPY 64 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweis | Siemens Semiconductor Group | data |
BPY Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
1 | BPY11 | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P
Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell
BPY 11 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweis Siemens Semiconductor Group data | | |
2 | BPY11P | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P
Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell
BPY 11 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweis Siemens Semiconductor Group data | | |
3 | BPY11PIV | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P
Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell
BPY 11 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweis Siemens Semiconductor Group data | | |
4 | BPY11PV | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P
Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell
BPY 11 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweis Siemens Semiconductor Group data | | |
5 | BPY12 | Silicon-PIN-Photodiode BPY 12 BPY 12 H 1
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon-PIN-Photodiode
BPY 12 BPY 12 H 1
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) Anw Siemens Semiconductor Group diode | | |
6 | BPY12H1 | Silicon-PIN-Photodiode BPY 12 BPY 12 H 1
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon-PIN-Photodiode
BPY 12 BPY 12 H 1
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) Anw Siemens Semiconductor Group diode | | |
7 | BPY47 | Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 47 P
Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell
BPY 47 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweis Siemens Semiconductor Group data | |
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
SPS122 | Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use. |
Sanken |
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