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BUZ90A 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Sipmos Power Transistor (n Channel의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | BUZ90A | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) BUZ 90 A SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated Pin 1 G Pin 2 D Pin 3 S Type BUZ 90 A VDS 600 V ID 4A RDS(on) 2Ω Package TO-220 AB Ordering Code C67078-S1321-A3 Maximum Ratings Parameter Continuous drain |
Siemens Semiconductor Group |
관련 키워드 검색 결과 ( BUZ90, 90 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
BUZ90 | SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) BUZ 90 SIPMOS ® Power Transistor • N channel • Enhancement mode • Avalanche-rated Pin 1 G Pin 2 D Pin 3 S Type BUZ 90 VDS 600 V ID 4.5 A RDS(on) 1.6 Ω Package TO-220 AB Ordering Code C67078-S1321-A2 Maximum Ratings Parameter Continuous drain current Symbol Va |
Siemens Semiconductor Group |
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BUZ900X4S | NEW PRODUCT UNDER DEVELOPMENT MAGNA TEC 3 1 .5 (1 .2 4 0 ) 3 1 .7 (1 .2 4 8 ) 7 .8 (0 .3 0 7 ) 8 .2 (0 .3 2 2 ) 1 1 .8 (0 .4 6 3 ) 1 2 .2 (0 .4 8 0 ) W = 4 .1 (0 .1 6 1 ) 4 .3 (0 .1 6 9 ) H= 4 .8 (0 .1 8 7 ) 4 .9 (0 .1 9 3 ) (4 places) 8 .9 (0 .3 5 0 ) 9 .6 (0 .3 7 8 ) BUZ900X4S BUZ901X4S NEW PRODUCT UNDER |
ETC |
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BUZ901X4S | NEW PRODUCT UNDER DEVELOPMENT |
ETC |
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BUZ901DP | (BUZ900DP / BUZ901DP) N-CHANNEL POWER MOSFET MAGNA TEC 20.0 5.0 BUZ900DP BUZ901DP MECHANICAL DATA Dimensions in mm 3.3 Dia. N–CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFETS FOR AUDIO APPLICATIONS FEATURES 1 2.0 2 3 2.0 1.0 • HIGH SPEED SWITCHING • N–CHANNEL POWER MOSFET • SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED • HIGH VOLTAG |
ETC |
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