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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | BZW065V8B | TRANSILTM ® BZW06-5V8/376 BZW06-5V8B/376B TRANSILTM FEATURES PEAK PULSE POWER : 600 W (10/1000µs) STAND-OFF VOLTAGERANGE : From 5.8V to 376 V UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES LOW CLAMPING FACTOR FAST RESPONSE TIME UL RECOGNIZED DESCRIPTION Transil diodes provide high ove |
STMicroelectronics |
관련 키워드 검색 결과 ( BZW065V8, 0658 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
BZW065V8 | TRANSILTM ® BZW06-5V8/376 BZW06-5V8B/376B TRANSILTM FEATURES PEAK PULSE POWER : 600 W (10/1000µs) STAND-OFF VOLTAGERANGE : From 5.8V to 376 V UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES LOW CLAMPING FACTOR FAST RESPONSE TIME UL RECOGNIZED DESCRIPTION Transil diodes provide high overvoltage protection |
STMicroelectronics |
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BZW065V8 | TRANSILTM |
STMicroelectronics |
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BZW065V8 | Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes BZW 06-5V8 ... BZW 06-376B Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung Maximum stand-off voltage Maximale Sperrspannung Plastic case – Kun |
Diotec Semiconductor |
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ASI10658 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV014A NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI TVV014A is Designed for PACKAGE STYLE .500 6L FLG C A 2x ØN FULL R D FEATURES: • • • Omnigold™ Metalization System B G .725/18,42 F E MAXIMUM RATINGS IC VCBO VCEO VEBO PDISS TJ TSTG θ JC 10 A 60 V 35 V 4. |
Advanced Semiconductor |
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