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C5022 데이터시트 PDF ( Data sheet )

번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사 PDF
1 C5022    2SC5022

2SC5022 Silicon NPN Triple Diffused Application High voltage amplifier Features • High breakdown voltage V (BR)CEO = 1500 V Min Outline TO-220FM www.DataSheet.co.kr 12 3 1. Base 2. Collector 3. Emitter Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/ 2SC5

Hitachi Semiconductor
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Datasheet C502 PDF - 시작하는 검색결과

부품번호 상세설명 및 기능 제조사 PDF
C5020   50A AVALANCHE AUTOMOTIVE CELL DIODE

® WON-TOP ELECTRONICS Features  Diffused Junction  Low Leakage  Low Cost  High Surge Current Capability  Die Size 220 mil HEX C5020, C5024, C5036 50A AVALANCHE AUTOMOTIVE CELL DIODE Pb D Anode + C E Mechanical Data B C50  Case: Cell Diode Passivated with S

Won-Top Electronics
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Won-Top Electronics 데이터시트 pdf
C5024   50A AVALANCHE AUTOMOTIVE CELL DIODE

® WON-TOP ELECTRONICS Features  Diffused Junction  Low Leakage  Low Cost  High Surge Current Capability  Die Size 220 mil HEX C5020, C5024, C5036 50A AVALANCHE AUTOMOTIVE CELL DIODE Pb D Anode + C E Mechanical Data B C50  Case: Cell Diode Passivated with S

Won-Top Electronics
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Won-Top Electronics 데이터시트 pdf
C5029   2SC5029

2SC5029 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC5029 Power Amplifier Applications Power Switching Applications Industrial Applications Unit: mm • • • • Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A, IB = 0.05 A) High collector power d

Toshiba Semiconductor
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C5024   Silicon NPN Epitaxial

2SC5024 Silicon NPN Epitaxial Application High frequency amplifier Features • Excellent high frequency characteristics fT = 300 MHz typ • High breakdown voltage and low output capacitance VCEO = 200 V, Cob = 5.0 pF typ • Suitable for wide band video amplifier • Complimen

Hitachi Semiconductor
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