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CEU16N10L 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-channel Enhancement Mode Field Effect의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | CEU16N10L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 13.3A, RDS(ON) = 115mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 125mΩ @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired |
Chino-Excel Technology |
관련 키워드 검색 결과 ( CEU16N10, 1610 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
CEU16N10 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CED16N10/CEU16N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 13.3A, RDS(ON) = 120mΩ @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D |
CET |
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DFE201610R | Metal Alloy Inductors Metal Alloy Inductors メタルアロイ®インダクタ DFE201610R Inductance Range: 0.47~2.2H Recommended patterns 推奨パターン図 (Unit: mm) (Unit: mm) FEATURES 特長 Miniature size: 2016 footprint (2.0mm×1.6mm) and low profile(1.0mm Max. height) The us |
TOKO |
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DFE201610P | Metal Alloy Inductors Metal Alloy Inductors メタルアロイ®インダクタ DFE201610P Inductance Range: 0.24~2.2H Recommended patterns 推奨パターン図 (Unit: mm) (Unit: mm) FEATURES 特長 Miniature size: 2016 footprint (2.0mm×1.6mm) and low profile(1.0mm Max. height) The us |
TOKO |
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DFE201610E | Metal Alloy Inductors Metal Alloy Inductors メタルアロイ®インダクタ DFE201610E Inductance Range: 0.24~10H Recommended patterns 推奨パターン図 (Unit: mm) (Unit: mm) FEATURES 特長 Miniature size: 2016 footprint (2.0mm×1.6mm) and low profile(1.0mm Max. height) The use |
TOKO |
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