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CS1N60 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Vdmos의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
8 | CS1N60 | VDMOS »ª¾§·ÖÁ¢Æ÷¼þ CS1N60(F) CS1N60(F)ÐÍ 1.¸ÅÊöÓëÌصã CS1N60(F)ÊÇ ¹Øµç· ¾ßÓÐÈçÏÂÌص㠿ª¹ØËÙ¶Èì ̬ͨµç×èС ¿É²¢ÁªÊ¹Óà Çý¶¯¼òµ¥ ·â×°ÐÎʽ ²úÆ·Ãû³ CS1 |
EDN |
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7 | CS1N60A1H | Silicon N-Channel Power MOSFET Silicon N-Channel Power MOSFET CS1N60 A1H ○R General Description: CS1N60 A1H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching VDSS ID PD (TC=25℃) RDS(ON)Ty |
Huajing Microelectronics |
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6 | CS1N60A3H | Silicon N-Channel Power MOSFET Silicon N-Channel Power MOSFET CS1N60 A3H ○R General Description: VDSS 600 V CS1N60 A3H, the silicon N-channel Enhanced ID 0.8 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD (TC=25℃) 25 W which reduce the conduction loss, impro |
Huajing Microelectronics |
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5 | CS1N60B1R | Silicon N-Channel Power MOSFET Silicon N-Channel Power MOSFET CS1N60 B1R ○R General Description: CS1N60 B1R, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching VDSS ID PD (TC=25℃) RDS(ON)Ty |
Huajing Microelectronics |
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4 | CS1N60B3R | Silicon N-Channel Power MOSFET Silicon N-Channel Power MOSFET CS1N60 B3R ○R General Description: CS1N60 B3R, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching VDSS ID PD (TC=25℃) RDS(ON)Ty |
Huajing Microelectronics |
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