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CS3N80A8 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 SilICon N-channel Power Mosfet의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | CS3N80A8 | Silicon N-Channel Power MOSFET Silicon N-Channel Power MOSFET CS3N80 A8 ○R General Description: CS3N80 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance VDSS ID P |
Huajing Microelectronics |
관련 키워드 검색 결과 ( CS3N80A8, 3808 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
PBL38085 | Integrated circuit for transformerless driving of battery powered EL (electroluminicent) lamps PBL 380 85 July 1999 PBL 380 85 Integrated circuit for transformerless driving of battery powered EL (electroluminicent) lamps Description. PBL 380 85 is a monolithic integrated circuit for supplying power to an EL (electroluminicent) lamp. This is intended to replace the LCD ba |
Ericsson |
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2SC3808 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Ordering number:EN2105A NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC3808 High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications · Low frequency general-purpose amplifiers, drivers. Features · Large current capacity (IC=2A). · Adoption of MBIT process. · |
Sanyo Semicon Device |
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2N3808 | PNP Silicon Dual Amplifier Transistor |
NES |
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AT-38086 | 4.8 V NPN Silicon Bipolar Common Emitter Transistor 4.8 V NPN Silicon Bipolar Common␣ Emitter Transistor Technical Data AT-38086 Features • 4.8 Volt Pulsed (pulse width = 577 µsec, duty cycle = 12.5%)/CW Operation • +28 dBm Pulsed Pout @␣ 900␣ MHz, Typ. • +23.5 dBm CW Pout @␣ 836.5␣ MHz, Typ. • 60% Pulsed Colle |
Agilent(Hewlett-Packard) |
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