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Datasheet DG1N65S Equivalent ( PDF )

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1 DG1N65S   N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DG1N65S N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号:V1.0 产品概述 General Description DG1N65S是N沟道增强型场效应晶体管,应用了东光微电的相关专利技术,采用自对准平 面工艺及先进的终端耐压技术,降低了导通�
DGME
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DG1N Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
DG1N60

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DG1N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号:V1.0 产品概述 General Description DG1N60是N沟道增强型场效应晶体管,应用了东光微电的相关专利技术,采用自对准平面 工艺及先进的终端耐压技术�
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DG1N65S

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DG1N65S N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号:V1.0 产品概述 General Description DG1N65S是N沟道增强型场效应晶体管,应用了东光微电的相关专利技术,采用自对准平 面工艺及先进的终端耐压技�
DGME
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DG1N65

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DG1N65 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 版本号:V1.0 产品概述 General Description DG1N65是N沟道增强型场效应晶体管,应用了东光微电的相关专利技术,采用自对准平面 工艺及先进的终端耐压技术�
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SPS122

Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.

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