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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | EEVFK1K100P | Aluminum Electrolytic Capacitor / FK Aluminum Electrolytic Capacitor/FK Surface Mount Type Series: FK Type : V Country of Origin n Features Endurance: 2000 to 5000h at105°C Low impedance (40 to 60% less than FCseries) Japan Miniaturization(30 to 50% less than FC series) Vibration-proof Ro |
Panasonic |
관련 키워드 검색 결과 ( EEVFK1K100, 1100 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
EEVFK1K100XP | Aluminum Electrolytic Capacitor / FK |
Panasonic |
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LTC1100 | Zero-Drift Instrumentation Amplifier LTC1100 Precision, Zero-Drift Instrumentation Amplifier U U FEATURES ■ Offset Voltage: 10µV Max ■ Offset Voltage Drift: 100nV/°C Max ■ Bias Current: 65pA Max ■ Offset Current: 65pA Max ■ Gain Nonlinearity: 20ppm Max ■ Gain Error: ±0.075% Max ■ CMRR: 90dB ■ 0. |
Linear Technology |
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TC511002Z-12 | DRAM TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCT 1,048,576 WORDS X 1 BIT DYNAMIC RAM SILICON GATE CMOS TC511002P/J/Z-85, TC511002P/J/Z-l0 TC511002P/J/Z-12 DESCRIPTION The TC5ll002P/J/Z is the new generation dynamic RA}! organized 1,048,576 words by 1 bit. The TC5ll002P/J/Z utilizes TOSHIBA's CXOS S |
Toshiba |
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TC511002Z-10 | DRAM |
Toshiba |
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