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EIC0910-12 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 9.50-10.50 Ghz 12-watt Internally Matched의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | EIC0910-12 | 9.50-10.50 GHz 12-Watt Internally Matched Power FET EIC0910-12 UPDATED 03/07/2008 9.50-10.50 GHz 12-Watt Internally Matched Power FET Excelics EIC0910-12 .827±.010 .669 .120 MIN .120 MIN FEATURES • • • • • • • 9.50–10.50GHz Bandwidth Input/Output Impedance Matched to 50 O |
Excelics Semiconductor |
관련 키워드 검색 결과 ( EIC091012, 0910 ) |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
P0910ATF | N-Channel Enhancement Mode MOSFET P0910ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 100V 9.5mΩ @VGS = 10V ID 54A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Cur |
UNIKC |
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P0910ATG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET P0910ATG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 100V 9.5mΩ @VGS = 10V ID 89A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Curr |
UNIKC |
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P0910A | N-Channel Enhancement Mode MOSFET P0910AS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 100V 9.5mΩ @VGS = 10V ID 80A TO-263 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Curre |
UNIKC |
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G2A091000 | Reed Relay cosmo Features 1. Molded epoxy body. 2. Sealed construction permits automatic flow soldering and cleaning. 3. High reliability relay. 4. Cost effective. Reed Relay G2A091000 Outside Dimension:Unit (mm) Coil Ratings Parameter Coil Resistance Nominal Coil Voltage Maximum Contin |
Cosmo |
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