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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 | |
1 | FDMS3602S | MOSFET ( Transistor ) FDMS3602S PowerTrench® Power Stage FDMS3602S PowerTrench® Power Stage July 2016 25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET Features General Description Q1: N-Channel Max rDS(on) = 5.6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 15 A Max rDS(on) = 8.1 mΩ at VGS = 4.5 V, |
Fairchild Semiconductor |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 | |
FDMS3602AS | MOSFET ( Transistor ) FDMS3602AS PowerTrench® Power Stage FDMS3602AS PowerTrench® Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET Features Q1: N-Channel Max rDS(on) = 5.6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 15 A Max rDS(on) = 8.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 14 A Q2: N-Channel Max rDS(on) = 2.2 mΩ at VGS = |
Fairchild Semiconductor |
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8403602JA | 2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM HM-65162 March 1997 2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM Description The HM-65162 is a CMOS 2048 x 8 Static Random Access Memory manufactured using the Intersil Advanced SAJI V process. The device utilizes asynchronous circuit design for fast cycle time and ease of use. The pinou |
Intersil Corporation |
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8403602ZA | 2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM |
Intersil Corporation |
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CR3602AA | Bi-directional Glass passivated junction TO - 220 series SiBOD™ FEATURES G Bi-directional G Glass passivated junction G High-surge capabilities G Low capacitance G Operation & storage temperature -55°C to 175°C 9.1/ 9.5 10.1/10.3 4.9/ 5.1 MECHANICAL CHARACTERISTICS G Modified TO-220 Outline G Terminals: Solderabl |
Littelfuse |
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